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3.8 注入离子在靶中的分布
huangqq 37
3.7 离子注入概述及原理
huangqq 37
3.6 扩散工艺质量与检测
huangqq 38
3.5 热扩散工艺的条件和方法
huangqq 37
3.4 扩散机构及杂质的扩散
huangqq 40
3.3 氧化层质量及检测
huangqq 37
3.2 硅的热氧化
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1.1集成电路发展历程及工艺特点
huangqq 61
3.1 二氧化硅薄膜概述
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实验一 初识Silvaco Tcad软件讲义
huangqq 58
实验三 氧化仿真讲义
huangqq 57
实验二 离子注入讲义
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6.3 CMOS集成电路工艺讲义
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6.2 隔离工艺讲义
huangqq 56
6.1 金属化与多层互连讲义
huangqq 53
5.6 干法刻蚀讲义
huangqq 54
5.5 湿法刻蚀讲义
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5.4 曝光技术讲义
huangqq 56
5.3 光刻胶讲义
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5.2 光刻掩模版的制造讲义
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