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3.7 离子注入概述及原理
440
3.4 扩散机构及杂质的扩散
444
1.1集成电路发展历程及工艺特点
457
5.2 光刻掩模版的制造
421
4.4 真空蒸镀
320
3.8 注入离子在靶中的分布
317
3.6 扩散工艺质量与检测
317
3.1 二氧化硅薄膜概述
321
4.5 溅射
347
4.2 CVD工艺方法
352
实验一 初识软件
344
实验三 氧化仿真实验
339
实验二 离子注入
346
6.3 CMOS集成电路工艺
340
6.2 隔离工艺
341
6.1 金属化互连
338