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电子器件基础 扫码继续查看
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1.1 半导体的电性能 00:10:23 424
1.1 半导体的电性能 / 401
1.2 半导体中的杂质 00:13:40 386
1.3 非平衡载流子 00:07:49 404
1.3 非平衡载流子 / 395
1.4 载流子的运动 00:10:07 403
1.4 载流子的运动 / 405
1.2 半导体中的杂质 / 382
第一章 半导体物理基础 / 422
2.3 PN结电容 / 282
2.4 PN结的击穿特性 00:05:01 281
2.4 PN结的击穿特性 / 277
2.5 PN结的开关特性 00:04:43 280
2.5 PN结的开关特性 / 289
2.3 PN结电容 00:07:37 282
2.2 PN结的直流特性 / 276
2.2 PN结的直流特性 00:16:27 274
2.1 平衡PN结 / 274
2.1 平衡PN结 00:10:03 271
第四章 半导体的表面特性 / 318
4.2 表面空间电荷区与表面势 / 204
4.3 MOS结构的阈值电压 / 205
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-上 00:11:15 209
5.2 mos型晶体管的阈值电压 / 244
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性 / 243
实验与技能训练一 / 253
实验与技能训练三 / 247
实验和技能训练（一）MATLAB初识 / 253
实验与技能训练 (二)半导体物理公式 / 247
实验与技能训练（三）双极型晶体管 / 247
实验与技能训练（四）MOS型场效应晶体管 / 248
第五章MOS型场效应晶体管 / 281
3.3 双极型晶体管的频率特性 00:08:24 218
3.4 双极型晶体管的开关特性 00:17:04 219
3.2双极型晶体管的直流特性曲线 / 225
3.3.双极型晶体管的频率特性 / 225
3.4双极型晶体的开关特性 / 223
3.2 双极型晶体管的直流特性曲线 00:07:25 218
4.2 表面空间电荷区与表面势 00:15:47 211
4.3 MOS结构的阈值电压 00:14:20 213
4.4 MOS结构的C-V特性 00:14:44 212
4.5 金属与半导体接触 00:11:51 214
4.4 MOS结构的C-V特性 / 214
4.5 金属与半导体接触 / 214
实验与技能训练二 00:08:58 219
实验与技能训练二 / 218
实验与技能训练三 00:14:22 216
实验与技能训练四 00:11:15 215
实验与技能训练四 / 216
实验与技能训练一 00:16:00 218
5.2 mos型晶体管的阈值电压 00:08:38 217
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-下 00:11:00 216
5.4 MOS晶体管频率特性与交流小信号参数 / 216
5.4MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数 00:06:32 219
3.1 双极型晶体管结构与工作原理 00:15:44 144
3.1双极型晶体管结构与工作原理 / 144
第二章PN结讲义 / 148
第三章双极型晶体管讲义 / 147
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sunjun

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所属分类：

江开本科 - 物联网工程（本科）

人群： 大众

知识体系： 信息技术

主持人： 孙俊
主讲老师： 陶治
版权归属： 江苏开放大学版权
项目编码： 061236
关键词
半导体物理，PN结，双极型晶体管，MOS管
  • 创建于：2025-04-14
  • 最近更新：2025-04-14