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电子器件基础

《电子器件基础》是江苏开放大学物联网工程（本科）专业的一门专业基础课程。通过课程的学习，使学员掌握半导体晶体的能带性质、载流子（电子和空穴）在晶体中的统计分布和运动规律，以及不同导电类型半导体材料形成 PN 结、BJT和MOS场效应管等基本器件单元的物理机理。为学习后续专业课程《电工电子技术及应用》《传感器技术及应用》打下坚实基础，也为后续物联网组网应用的器件选型奠定知识基础。本课程还可以作为其它电子信息类专业的选修课，属于电子技术系列课程。

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资源(58)	时长( 04:39:09)	播放量(22015)
1.1 半导体的电性能	/	514
1.2 半导体中的杂质	00:13:40	498
1.3 非平衡载流子	00:07:49	512
1.3 非平衡载流子	/	505
1.4 载流子的运动	00:10:07	511
1.4 载流子的运动	/	515
1.2 半导体中的杂质	/	502
第一章半导体物理基础	/	532
2.3 PN结电容	/	392
2.4 PN结的击穿特性	00:05:01	392
2.4 PN结的击穿特性	/	386
2.5 PN结的开关特性	00:04:43	388
2.5 PN结的开关特性	/	397
2.3 PN结电容	00:07:37	391
2.2 PN结的直流特性	/	387
2.2 PN结的直流特性	00:16:27	382
2.1 平衡PN结	/	383
2.1 平衡PN结	00:10:03	384
第四章半导体的表面特性	/	428
4.2 表面空间电荷区与表面势	/	313
4.3 MOS结构的阈值电压	/	314
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-上	00:11:15	320
5.2 mos型晶体管的阈值电压	/	363
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性	/	361
实验与技能训练一	/	372
实验与技能训练三	/	365
实验和技能训练（一）MATLAB初识	/	371
实验与技能训练 (二)半导体物理公式	/	366
实验与技能训练（三）双极型晶体管	/	366
实验与技能训练（四）MOS型场效应晶体管	/	364
第五章MOS型场效应晶体管	/	399
3.3 双极型晶体管的频率特性	00:08:24	336
3.4 双极型晶体管的开关特性	00:17:04	338
3.2双极型晶体管的直流特性曲线	/	344
3.3.双极型晶体管的频率特性	/	342
3.4双极型晶体的开关特性	/	343
3.2 双极型晶体管的直流特性曲线	00:07:25	336
4.2 表面空间电荷区与表面势	00:15:47	329
4.3 MOS结构的阈值电压	00:14:20	331
4.4 MOS结构的C-V特性	00:14:44	332
4.5 金属与半导体接触	00:11:51	334
4.4 MOS结构的C-V特性	/	361
4.5 金属与半导体接触	/	385
实验与技能训练二	00:08:58	389
实验与技能训练二	/	389
实验与技能训练三	00:14:22	384
实验与技能训练四	00:11:15	384
实验与技能训练四	/	387
实验与技能训练一	00:16:00	387
5.2 mos型晶体管的阈值电压	00:08:38	386
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-下	00:11:00	385
5.4 MOS晶体管频率特性与交流小信号参数	/	387
5.4MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数	00:06:32	387
3.1 双极型晶体管结构与工作原理	00:15:44	316
3.1双极型晶体管结构与工作原理	/	314
第二章PN结讲义	/	317
第三章双极型晶体管讲义	/	315
1.1 半导体的电性能	00:10:23	104

创建者

sunjun

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详细信息

所属分类：

江开本科 - 物联网工程（本科）

人群：大众

知识体系：信息技术

主持人：孙俊
主讲老师：陶治
版权归属： 江苏开放大学版权
项目编码： 061236

关键词

半导体物理，PN结，双极型晶体管，MOS管

创建于：2025-04-14
最近更新：2025-04-14