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电子器件基础

《电子器件基础》是江苏开放大学物联网工程（本科）专业的一门专业基础课程。通过课程的学习，使学员掌握半导体晶体的能带性质、载流子（电子和空穴）在晶体中的统计分布和运动规律，以及不同导电类型半导体材料形成 PN 结、BJT和MOS场效应管等基本器件单元的物理机理。为学习后续专业课程《电工电子技术及应用》《传感器技术及应用》打下坚实基础，也为后续物联网组网应用的器件选型奠定知识基础。本课程还可以作为其它电子信息类专业的选修课，属于电子技术系列课程。

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资源(58)	时长( 04:39:09)	播放量(45862)
1.1 半导体的电性能	/	883
1.2 半导体中的杂质	00:13:40	867
1.3 非平衡载流子	00:07:49	881
1.3 非平衡载流子	/	868
1.4 载流子的运动	00:10:07	881
1.4 载流子的运动	/	877
1.2 半导体中的杂质	/	910
第一章半导体物理基础	/	905
2.3 PN结电容	/	763
2.4 PN结的击穿特性	00:05:01	762
2.4 PN结的击穿特性	/	766
2.5 PN结的开关特性	00:04:43	758
2.5 PN结的开关特性	/	776
2.3 PN结电容	00:07:37	759
2.2 PN结的直流特性	/	758
2.2 PN结的直流特性	00:16:27	751
2.1 平衡PN结	/	762
2.1 平衡PN结	00:10:03	750
第四章半导体的表面特性	/	810
4.2 表面空间电荷区与表面势	/	698
4.3 MOS结构的阈值电压	/	698
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-上	00:11:15	686
5.2 mos型晶体管的阈值电压	/	749
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性	/	745
实验与技能训练一	/	754
实验与技能训练三	/	752
实验和技能训练（一）MATLAB初识	/	755
实验与技能训练 (二)半导体物理公式	/	747
实验与技能训练（三）双极型晶体管	/	753
实验与技能训练（四）MOS型场效应晶体管	/	744
第五章MOS型场效应晶体管	/	778
3.3 双极型晶体管的频率特性	00:08:24	705
3.2双极型晶体管的直流特性曲线	/	734
3.3.双极型晶体管的频率特性	/	724
3.2 双极型晶体管的直流特性曲线	00:07:25	711
4.2 表面空间电荷区与表面势	00:15:47	697
4.3 MOS结构的阈值电压	00:14:20	701
4.4 MOS结构的C-V特性	00:14:44	694
4.5 金属与半导体接触	00:11:51	700
4.4 MOS结构的C-V特性	/	748
4.5 金属与半导体接触	/	816
实验与技能训练二	00:08:58	797
实验与技能训练二	/	931
实验与技能训练三	00:14:22	930
实验与技能训练四	00:11:15	929
实验与技能训练四	/	933
实验与技能训练一	00:16:00	941
5.2 mos型晶体管的阈值电压	00:08:38	929
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-下	00:11:00	929
5.4 MOS晶体管频率特性与交流小信号参数	/	933
5.4MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数	00:06:32	929
3.1 双极型晶体管结构与工作原理	00:15:44	860
3.1双极型晶体管结构与工作原理	/	874
第二章PN结讲义	/	864
第三章双极型晶体管讲义	/	865
1.1 半导体的电性能	00:10:23	648
3.4双极型晶体管的开关特性	00:17:04	497
3.4双极型晶体的开关特性	/	497

创建者

sunjun

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详细信息

所属分类：

江开本科 - 物联网工程（本科）

人群：大众

知识体系：信息技术

主持人：孙俊
主讲老师：陶治
版权归属： 江苏开放大学版权
项目编码： 061236

关键词

半导体物理，PN结，双极型晶体管，MOS管

创建于：2025-04-14
最近更新：2025-04-14