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电子器件基础
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《电子器件基础》是江苏开放大学物联网工程(本科)专业的一门专业基础课程。通过课程的学习,使学员掌握半导体晶体的能带性质、载流子(电子和空穴)在晶体中的统计分布和运动规律,以及不同导电类型半导体材料形成 PN 结、BJT和MOS场效应管等基本器件单元的物理机理。为学习后续专业课程《电工电子技术及应用》《传感器技术及应用》打下坚实基础,也为后续物联网组网应用的器件选型奠定知识基础。本课程还可以作为其它电子信息类专业的选修课,属于电子技术系列课程。
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资源(58)
时长( 04:39:09)
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1.1 半导体的电性能
/
832
1.2 半导体中的杂质
00:13:40
816
1.3 非平衡载流子
00:07:49
830
1.3 非平衡载流子
/
816
1.4 载流子的运动
00:10:07
828
1.4 载流子的运动
/
825
1.2 半导体中的杂质
/
857
第一章 半导体物理基础
/
855
2.3 PN结电容
/
713
2.4 PN结的击穿特性
00:05:01
709
2.4 PN结的击穿特性
/
712
2.5 PN结的开关特性
00:04:43
703
2.5 PN结的开关特性
/
723
2.3 PN结电容
00:07:37
707
2.2 PN结的直流特性
/
707
2.2 PN结的直流特性
00:16:27
699
2.1 平衡PN结
/
709
2.1 平衡PN结
00:10:03
697
第四章 半导体的表面特性
/
760
4.2 表面空间电荷区与表面势
/
644
4.3 MOS结构的阈值电压
/
645
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-上
00:11:15
633
5.2 mos型晶体管的阈值电压
/
697
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性
/
695
实验与技能训练一
/
702
实验与技能训练三
/
700
实验和技能训练(一)MATLAB初识
/
704
实验与技能训练 (二)半导体物理公式
/
694
实验与技能训练(三)双极型晶体管
/
698
实验与技能训练(四)MOS型场效应晶体管
/
690
第五章MOS型场效应晶体管
/
727
3.3 双极型晶体管的频率特性
00:08:24
653
3.2双极型晶体管的直流特性曲线
/
681
3.3.双极型晶体管的频率特性
/
671
3.2 双极型晶体管的直流特性曲线
00:07:25
656
4.2 表面空间电荷区与表面势
00:15:47
644
4.3 MOS结构的阈值电压
00:14:20
645
4.4 MOS结构的C-V特性
00:14:44
642
4.5 金属与半导体接触
00:11:51
648
4.4 MOS结构的C-V特性
/
693
4.5 金属与半导体接触
/
752
实验与技能训练二
00:08:58
744
实验与技能训练二
/
847
实验与技能训练三
00:14:22
844
实验与技能训练四
00:11:15
845
实验与技能训练四
/
844
实验与技能训练一
00:16:00
856
5.2 mos型晶体管的阈值电压
00:08:38
845
5.3 MOS型晶体管输出伏安特性-下
00:11:00
844
5.4 MOS晶体管频率特性与交流小信号参数
/
846
5.4MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数
00:06:32
845
3.1 双极型晶体管结构与工作原理
00:15:44
775
3.1双极型晶体管结构与工作原理
/
778
第二章PN结讲义
/
778
第三章双极型晶体管讲义
/
779
1.1 半导体的电性能
00:10:23
563
3.4双极型晶体管的开关特性
00:17:04
412
3.4双极型晶体的开关特性
/
408
创建者
sunjun
上传:90份资源
创建:1个课程
暂无
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详细信息
所属分类:
江开本科 - 物联网工程(本科)
人群:
大众
知识体系:
信息技术
主持人:
孙俊
主讲老师:
陶治
版权归属:
江苏开放大学版权
项目编码:
061236
关键词
半导体物理,PN结,双极型晶体管,MOS管
创建于:2025-04-14
最近更新:2025-04-14