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智能硬件制造工艺
2.2 硅衬底的制备
2.2 硅衬底的制备
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huangqq
2024-12-11 上传
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目录
1
1.1集成电路发展历程及工艺特点-优化
2
2.1 单晶硅特性-优化
3
2.2 硅衬底的制备--优化
4
2.3 气相外延--优化
5
2.4 分子束外延与其他外延方法--优化
6
实验一 初识软件讲稿-优化
7
3.1 热氧化概念及二氧化硅薄膜概述-优化
8
3.2 硅的热氧化-优化
9
3.3 氧化层质量及检测-优化
10
3.4 扩散机构及杂质的扩散-优化
11
3.5 热扩散工艺的条件和方法-优化
12
3.6 扩散工艺质量与检测-优化
13
3.7 离子注入概述及原理-优化
14
3.8 注入离子在靶中的分布-优化
15
3.9 退火-优化
16
实验二 离子注入讲稿-优化
17
实验三 氧化仿真实验-优化
18
4.1 CVD概述及原理——优化
19
4.2 CVD工艺方法——优化
20
4.3 PVD概述与真空——优化
21
4.4 真空蒸镀——优化
22
4.5 溅射-优化
23
5.1 光刻工艺概述-优化
24
5.2 光刻掩模版的制造-优化
25
5.3 光刻胶-优化
26
5.4 曝光技术-优化
27
5.5 湿法刻蚀-优化
28
5.6 干法刻蚀-优化
29
6.1 金属化互连-优化
30
6.2 隔离工艺-优化
31
6.3 CMOS集成电路工艺-优化
32
1.1 集成电路制造技术简介讲义
33
2.1 单晶硅特性讲义
34
2.2 硅衬底的制备讲义
35
2.3 气相外延讲义
36
2.4 分子束外延与其他外延方法讲义
37
实验一 初识Silvaco Tcad软件讲义
38
3.1 二氧化硅薄膜概述讲义
39
3.2 硅的热氧化讲义
40
3.3 氧化层质量及检测讲义
41
3.4 扩散机构及杂质的扩散讲义
42
3.5 热扩散工艺的条件和方法讲义
43
3.6 扩散工艺质量与检测讲义
44
3.7 离子注入概述及原理讲义
45
3.8 注入离子在靶中的分布讲义
46
3.9 退火讲义
47
实验二 离子注入讲义
48
实验三 氧化仿真讲义
49
4.1 CVD概述及原理讲义
50
4.2 CVD工艺方法讲义
51
4.3 PVD概述与真空讲义
52
4.4 真空蒸镀讲义
53
4.5 溅射讲义
54
5.1 光刻工艺概述讲义
55
5.2 光刻掩模版的制造讲义
56
5.3 光刻胶讲义
57
5.4 曝光技术讲义
58
5.5 湿法刻蚀讲义
59
5.6 干法刻蚀讲义
60
6.1 金属化与多层互连讲义
61
6.2 隔离工艺讲义
62
6.3 CMOS集成电路工艺讲义
63
1.1集成电路发展历程及工艺特点
64
2.1 单晶硅特性
65
2.2 硅衬底的制备
66
2.3 气相外延
67
2.4 分子束外延与其他外延方法
68
实验一 初识软件
69
3.1 二氧化硅薄膜概述
70
3.2 硅的热氧化
71
3.3 氧化层质量及检测
72
3.4 扩散机构及杂质的扩散
73
3.5 热扩散工艺的条件和方法
74
3.6 扩散工艺质量与检测
75
3.7 离子注入概述及原理
76
3.8 注入离子在靶中的分布
77
3.9 退火
78
实验二 离子注入
79
实验三 氧化仿真实验
80
4.1 CVD概述及原理
81
4.2 CVD工艺方法
82
4.3 PVD概述与真空
83
4.4 真空蒸镀
84
4.5 溅射
85
5.1 光刻工艺概述
86
5.2 光刻掩模版的制造
87
5.3 光刻胶
88
5.4 曝光技术
89
5.5 湿法刻蚀
90
5.6 干法刻蚀
91
6.1 金属化互连
92
6.2 隔离工艺
93
6.3 CMOS集成电路工艺
详细信息
所属分类：
江开本科 - 物联网工程（本科）
人群：
大众
知识体系：
工学
主讲老师：
王昕
版权归属：
江苏开放大学版权
关键词
智能硬件制造工艺
