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1.1 集成电路制造技术简介讲义 |
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2.1 单晶硅特性讲义 |
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2.2 硅衬底的制备讲义 |
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2.3 气相外延讲义 |
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2.4 分子束外延与其他外延方法讲义 |
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实验一 初识Silvaco Tcad软件讲义 |
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3.1 二氧化硅薄膜概述讲义 |
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3.2 硅的热氧化讲义 |
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3.3 氧化层质量及检测讲义 |
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3.4 扩散机构及杂质的扩散讲义 |
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3.5 热扩散工艺的条件和方法讲义 |
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3.6 扩散工艺质量与检测讲义 |
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3.7 离子注入概述及原理讲义 |
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3.8 注入离子在靶中的分布讲义 |
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3.9 退火讲义 |
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实验二 离子注入讲义 |
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实验三 氧化仿真讲义 |
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4.1 CVD概述及原理讲义 |
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4.2 CVD工艺方法讲义 |
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4.3 PVD概述与真空讲义 |
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4.4 真空蒸镀讲义 |
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4.5 溅射讲义 |
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5.1 光刻工艺概述讲义 |
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5.2 光刻掩模版的制造讲义 |
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5.3 光刻胶讲义 |
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5.4 曝光技术讲义 |
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5.5 湿法刻蚀讲义 |
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5.6 干法刻蚀讲义 |
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6.1 金属化与多层互连讲义 |
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6.2 隔离工艺讲义 |
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6.3 CMOS集成电路工艺讲义 |
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