| 资源(31) | 时长( 00:00:00) | 播放量(10249) |
|---|---|---|
1.1集成电路发展历程及工艺特点-优化 |
/ | 306 |
|
2.1 单晶硅特性-优化 |
/ | 896 |
|
2.2 硅衬底的制备--优化 |
/ | 884 |
|
2.3 气相外延--优化 |
/ | 887 |
|
2.4 分子束外延与其他外延方法--优化 |
/ | 889 |
|
实验一 初识软件讲稿-优化 |
/ | 256 |
|
3.1 热氧化概念及二氧化硅薄膜概述-优化 |
/ | 248 |
|
3.2 硅的热氧化-优化 |
/ | 244 |
|
3.3 氧化层质量及检测-优化 |
/ | 242 |
|
3.4 扩散机构及杂质的扩散-优化 |
/ | 298 |
|
3.5 热扩散工艺的条件和方法-优化 |
/ | 240 |
|
3.6 扩散工艺质量与检测-优化 |
/ | 201 |
|
3.7 离子注入概述及原理-优化 |
/ | 200 |
|
3.8 注入离子在靶中的分布-优化 |
/ | 204 |
|
3.9 退火-优化 |
/ | 246 |
|
实验二 离子注入讲稿-优化 |
/ | 256 |
|
实验三 氧化仿真实验-优化 |
/ | 257 |
|
4.1 CVD概述及原理——优化 |
/ | 247 |
|
4.2 CVD工艺方法——优化 |
/ | 256 |
|
4.3 PVD概述与真空——优化 |
/ | 249 |
|
4.4 真空蒸镀——优化 |
/ | 205 |
|
4.5 溅射-优化 |
/ | 234 |
|
5.1 光刻工艺概述-优化 |
/ | 249 |
|
5.2 光刻掩模版的制造-优化 |
/ | 289 |
|
5.3 光刻胶-优化 |
/ | 246 |
|
5.4 曝光技术-优化 |
/ | 251 |
|
5.5 湿法刻蚀-优化 |
/ | 254 |
|
5.6 干法刻蚀-优化 |
/ | 252 |
|
6.1 金属化互连-优化 |
/ | 256 |
|
6.2 隔离工艺-优化 |
/ | 252 |
|
6.3 CMOS集成电路工艺-优化 |
/ | 255 |