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1.1集成电路发展历程及工艺特点-优化 |
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2.1 单晶硅特性-优化 |
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2.2 硅衬底的制备--优化 |
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2.3 气相外延--优化 |
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2.4 分子束外延与其他外延方法--优化 |
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实验一 初识软件讲稿-优化 |
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3.1 热氧化概念及二氧化硅薄膜概述-优化 |
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3.2 硅的热氧化-优化 |
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3.3 氧化层质量及检测-优化 |
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3.4 扩散机构及杂质的扩散-优化 |
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3.5 热扩散工艺的条件和方法-优化 |
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3.6 扩散工艺质量与检测-优化 |
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3.7 离子注入概述及原理-优化 |
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3.8 注入离子在靶中的分布-优化 |
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3.9 退火-优化 |
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实验二 离子注入讲稿-优化 |
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实验三 氧化仿真实验-优化 |
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4.1 CVD概述及原理——优化 |
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4.2 CVD工艺方法——优化 |
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4.3 PVD概述与真空——优化 |
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4.4 真空蒸镀——优化 |
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4.5 溅射-优化 |
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5.1 光刻工艺概述-优化 |
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5.2 光刻掩模版的制造-优化 |
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5.3 光刻胶-优化 |
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5.4 曝光技术-优化 |
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5.5 湿法刻蚀-优化 |
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5.6 干法刻蚀-优化 |
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6.1 金属化互连-优化 |
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6.2 隔离工艺-优化 |
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6.3 CMOS集成电路工艺-优化 |
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