| 资源(31) | 时长( 06:38:37) | 播放量(7497) |
|---|---|---|
1.1集成电路发展历程及工艺特点 |
00:13:37 | 189 |
|
2.1 单晶硅特性 |
00:20:01 | 962 |
|
2.2 硅衬底的制备 |
00:11:40 | 850 |
|
2.3 气相外延 |
00:12:42 | 1013 |
|
2.4 分子束外延与其他外延方法 |
00:11:27 | 762 |
|
实验一 初识软件 |
00:20:12 | 145 |
|
3.1 二氧化硅薄膜概述 |
00:10:16 | 120 |
|
3.2 硅的热氧化 |
00:19:26 | 142 |
|
3.3 氧化层质量及检测 |
00:07:35 | 140 |
|
3.4 扩散机构及杂质的扩散 |
00:15:38 | 183 |
|
3.5 热扩散工艺的条件和方法 |
00:09:38 | 140 |
|
3.6 扩散工艺质量与检测 |
00:08:34 | 118 |
|
3.7 离子注入概述及原理 |
00:07:23 | 177 |
|
3.8 注入离子在靶中的分布 |
00:09:00 | 116 |
|
3.9 退火 |
00:09:48 | 139 |
|
实验二 离子注入 |
00:17:59 | 148 |
|
实验三 氧化仿真实验 |
00:12:02 | 144 |
|
4.1 CVD概述及原理 |
00:12:25 | 141 |
|
4.2 CVD工艺方法 |
00:16:23 | 147 |
|
4.3 PVD概述与真空 |
00:07:11 | 139 |
|
4.4 真空蒸镀 |
00:11:08 | 117 |
|
4.5 溅射 |
00:16:10 | 147 |
|
5.1 光刻工艺概述 |
00:18:33 | 143 |
|
5.2 光刻掩模版的制造 |
00:10:26 | 160 |
|
5.3 光刻胶 |
00:13:40 | 144 |
|
5.4 曝光技术 |
00:18:17 | 146 |
|
5.5 湿法刻蚀 |
00:11:37 | 147 |
|
5.6 干法刻蚀 |
00:15:25 | 147 |
|
6.1 金属化互连 |
00:12:57 | 143 |
|
6.2 隔离工艺 |
00:08:23 | 144 |
|
6.3 CMOS集成电路工艺 |
00:09:04 | 144 |