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huangqq

实验三 氧化仿真实验
44
实验二 离子注入
46
6.3 CMOS集成电路工艺
42
6.2 隔离工艺
43
6.1 金属化互连
43
5.6 干法刻蚀
44
5.5 湿法刻蚀
45
5.4 曝光技术
45
5.3 光刻胶
42
5.2 光刻掩模版的制造
42
5.1 光刻工艺概述
41
4.4 真空蒸镀
38
4.3 PVD概述与真空
37
4.1 CVD概述及原理
39
3.9 退火
38
3.8 注入离子在靶中的分布
38