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3.7 离子注入概述及原理
39
3.6 扩散工艺质量与检测
39
3.5 热扩散工艺的条件和方法
39
3.4 扩散机构及杂质的扩散
42
3.3 氧化层质量及检测
38
3.2 硅的热氧化
39
1.1集成电路发展历程及工艺特点
63
3.1 二氧化硅薄膜概述
40
实验一 初识Silvaco Tcad软件讲义
60
实验三 氧化仿真讲义
59
实验二 离子注入讲义
57
6.3 CMOS集成电路工艺讲义
55
6.2 隔离工艺讲义
57
6.1 金属化与多层互连讲义
55
5.6 干法刻蚀讲义
57
5.5 湿法刻蚀讲义
55