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huangqq

3.9 退火讲义
167
3.8 注入离子在靶中的分布讲义
167
3.7 离子注入概述及原理讲义
164
3.6 扩散工艺质量与检测讲义
162
3.5 热扩散工艺的条件和方法讲义
161
3.4 扩散机构及杂质的扩散讲义
164
3.3 氧化层质量及检测讲义
161
3.2 硅的热氧化讲义
162
2.4 分子束外延与其他外延方法讲义
166
2.3 气相外延讲义
164
2.2 硅衬底的制备讲义
166
2.1 单晶硅特性讲义
160
1.1 集成电路制造技术简介讲义
165
实验一 初识软件讲稿-优化
172
实验三 氧化仿真实验-优化
172
实验二 离子注入讲稿-优化
173